产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene硒化钯晶体

英文名称：HQ graphene PdSe2 Crystal

产品概述

PdSe2是一种半导体二维材料，其带隙范围为0eV至~1.3eV。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。PdSe2晶体具有典型的横向尺寸约0.1-0.3 cm，六边形和金属外观。

PdSe2 is a semiconductor 2D material having a bandgap ranging from 0eV to ~1.3eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. 
The PdSe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.1-0.3 cm, hexagonal shaped and have a metallic appearance. 

技术参数

纯度: 99.995 %

尺寸:~1-3 mm

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Orthorombic

Unit cell parameters:a = 0.575 nm, b = 0.588 nm, c = 0.769 nm, α = β = γ= 90°

Type：Synthetic

应用领域

高性能电子器件：硒化钯晶体具有超高载流子迁移率以及随厚度可调的带隙宽度（从0eV的单层到1.3eV的块体），这使得它在制造高性能电子器件方面具有显著优势。这种特性使得硒化钯晶体成为构建高性能场效应晶体管等电子器件的理想材料。

光电器件：硒化钯晶体的优异环境稳定性和各向异性光学性质，使其在光电探测器、太阳能电池等光电器件领域具有潜在的应用价值。

非线性光学：硒化钯晶体表现出独特的与厚度相关的二次谐波产生（SHG）特征，这为其在非线性光学领域的研究和应用提供了新的可能性。例如，它可能用于构建高效的非线性光学器件，如频率转换器等。

表面拉曼增强检测：硒化钯单晶作为表面拉曼增强的基底，具有高灵敏度和空气稳定性，可用于表面拉曼增强检测技术领域，提高检测精度和灵敏度。

晶圆级制备：随着制备技术的不断优化和改进，硒化钯晶体的晶圆级制备已成为可能。这为其在微电子领域的大规模应用提供了基础。例如，可以通过电子束蒸发等方法制备高质量的硒化钯薄膜，并进一步应用于构建各种电子器件。

基础研究：硒化钯晶体的独特结构和性质也使其成为材料科学和凝聚态物理等领域的研究热点。通过对其性质和应用的深入研究，可以推动相关领域的科学进步和技术创新。

催化领域：硒化钯晶体可能具有优异的催化性能，可用于催化某些化学反应。然而，目前关于其在催化领域应用的具体研究还较少，需要进一步探索。

生物医学：虽然硒化钯晶体在生物医学领域的应用尚未广泛报道，但其独特的性质可能为其在生物传感器、药物载体等方面提供新的应用思路。

其他信息
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原链接：http://www.hqgraphene.com/PdSe2.php