ACS Material 一步转移石墨烯薄膜 1cmx1cm
货号:100167 编号:XF029
CAS号:7440-44-0 规格:单层,面积1cmx1cm
包装:1 盒 保质期:15天
保存条件:4℃冷藏
产品名称
中文名称:一步转移石墨烯薄膜
英文名称:Trivial Transfer Graphene™
产品概述
CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素:衬底、前驱体和生长条件。其中,衬底是生长石墨烯的重要条件,目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属(如 Fe,Ru,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,Cu,Au),和合金(如 Co-Ni,Au-Ni,Ni-Mo,不锈钢)。不同的基底材料通过 CVD 制备石墨烯的机理各不相同,主要分为两种制备机理:渗碳析碳机制,即高温时裂解后的碳渗入基底中,快速降温时在表面形成石墨烯;表面催化机制,即高温时裂解后的碳接触特定金属时(如铜),在表面形成石墨烯,并保护样品抑制薄膜继续沉积,因此这种机制更容易形成单层石墨烯。
在实际应用中,CVD 石墨烯膜的合成方法可能会因具体的实验需求和条件而有所不同。研究人员通常会根据目标性能和应用场景,对合成过程进行优化和调整。同时,新的合成方法和技术也在不断发展和探索中,以提高石墨烯膜的质量和性能。
通常,先在金属基底上生长石墨烯,再旋涂PMMA,转移到氧化硅、石英、玻璃、PET或者铜网等基底上。
技术参数
面积:1cmx1cm
层数:单层、双层、3-5层、6-8层、10-15层
备注:氧化硅基底上测试拉曼
产品特点
高品质:具有较高的纯度和结晶度;
良好的电学性能:载流子迁移率高,电阻率小;
高透明度:对可见光具有良好的透过性;
机械强度高:具有较好的柔韧性和耐受力;
化学稳定性好:在常温下表现出良好的稳定性。
应用
电子器件:如场效应晶体管、电容器等;
光学器件:透明导电薄膜、触摸屏等;
传感器:化学传感器、生物传感器等;
能源领域:如太阳能电池、超级电容器等;
复合材料:与其他材料复合,提升性能。
其他信息
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转移参考如下视频:
盘点4种用作透明导电薄膜的纳米材料
透明导电薄膜是一种同时兼具高光学透过率和低电阻率的电极材料,广泛应用于显示、太阳能电池及发光二极管等领域。氧化铟锡作为最常见的透明导电薄膜材料已经在工业界大规模使用,但仍存在一些缺点,如透射率和电导率较低,不能承受弯曲和拉伸等,从而限制了其在柔性可穿戴器件领域的使用。本期为你介绍4款有望替代ITO的新型纳米材料,一起看下去吧~
一、银纳米线
近年来,银纳米线作为一种一维金属纳米结构材料引起了人们的广泛关注,并显示出取代传统电子材料的潜在趋势。银纳米线具有优异的导电性、透明性、机械性能和在溶液中良好的可操作性,作为导体或电路印刷在一些柔性电子器件中,显示出88%-91%的透过率,在一些研究中甚至与ITO相当。此外,银纳米线薄膜低电阻的特性,可以提供高度灵敏的触控效果,使用户体验更加顺畅。目前,银纳米线已经成为替代ITO的潜在材料,甚至在某些应用上已经超过ITO。
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二、MXene
MXene是一种新型的二维材料,具有出色的电子和光学特性,在光电器件中发挥丰富的作用,例如作为透明电极、肖特基接触、光吸收体和等离子体材料等。并且MXene材料可以通过旋涂,滴涂,喷涂,喷墨印刷等方法进行溶液加工,有望实现大规模、低成本光电器件制造。据报道,单层Ti3C2Tx纳米片在可见光区的透光率约为97%,具有金属导电性和亲水性,可通过溶液加工法制备MXene导电薄膜,在透明电子领域中具有极大的应用前景。
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三、石墨烯
石墨烯透明导电薄膜具有较高的导电性和透过率,将其附着在柔性透明基体表面,即形成柔性可弯折的石墨烯透明电极材料,被认为是替换目前ITO薄膜最具有潜力的透明导电薄膜材料,在显示领域具有巨大的应用潜力,可用于触摸板、柔性液晶面板、太阳能电池及OLED照明。
目前制备石墨烯透明导电薄膜的方法较多,主要包括真空抽滤法、旋转涂覆法、喷射涂覆法、自组装法、化学气相沉积法等,并且可以将其沉积或转移到不同的基底上,如SiO2/Si、玻璃、石英、PET等。
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四、碳纳米管
碳纳米管透明导电薄膜具有机械性能稳定、灵活和可伸缩的特点,同时对各种化学和特殊的电光学性能基底有着高附着性。目前制备柔性碳纳米管透明导电薄膜的方法较多,主要分为湿法和干法制备。湿法合成主要指采用碳纳米管分散溶液进行薄膜制备,包含真空抽滤转移法、喷涂法、旋涂法、提拉法等;干法制备包括气溶胶直接合成法、超阵列提拉法等。其中,单壁碳纳米管(SWCNT)相互搭接形成的二维网络结构具有柔韧、透明、导电等特点,可以用于触控屏、平板显示器、光伏电池等领域。
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