产品名称

中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼

英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2/Si

产品概述

机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼是一种通过机械剥离法从二硫化钼块体上制备的单层薄膜材料。 机械剥离法，又称“胶带剥离法”，最早由Novoselov等人在2004年制备单层石墨烯时提出。该方法利用胶带和块体材料之间的摩擦和相对运动，使薄层从块体上脱落，用胶带的粘着力来克服分子层间弱范德华力，从而实现层与层的分离。这种方法同样适用于单层或少层二硫化物薄膜的制备。

具体操作包括用胶带从二硫化物块体上撕下晶体薄片，再用另一条胶带贴在二硫化物晶体薄片的另一侧，撕开两片胶带即可分离二硫化物片层，从而得到层数更少的薄片。如此反复多次粘贴撕开胶带，可得到少层和单层厚度的二硫化物。最后，将其粘贴在表面经过超声清洗和离子清洗的衬底上，并进行形貌表征，可在显微镜中观察到局部有单层二硫化物。 层数薄的二硫化物在空气中极易氧化，并且氧化后的材料会失去原有的性质。因此，在长时间的存储和使用过程中需隔氧。

技术参数

形态：薄膜

基底：二氧化硅/硅

氧化层：300nm

基底尺寸：10 mmx10 mm

单个MOS2面积:≥10 µm2

备注:大于等于1片样品是单层

产品特点

晶体结构：单层二硫化物由一个中心的金属原子与两个S原子组成，呈六边形排列，这种结构类似于石墨烯，并且也具有类似于石墨烯的性质。 

光学性质：机械剥离制备的二硫化物具有优异的光学性质，如宽带隙、高吸收系数和强荧光发射，可以研究层数和荧光效应。 

电学性质：单层二硫化物具有优异的电学特性，如高载流子迁移率、低电阻率和高透射率，使其在纳米电子学领域具有广泛的应用前景。 

力学性能：单层二硫化物具有优异的力学特性，如高弹性模量、高强度和超薄厚度，使其在纳米机械领域具有潜在应用。

应用

纳米电子学：可用于制备场效应晶体管、光电探测器等电子器件。 

光电子学：可用于制备太阳能电池、光催化剂等光电器件。 

催化领域：单层二硫化物具有催化活性，可用于水分解反应等催化过程。 

其他信息

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