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氟掺杂二氧化锡纳米颗粒
货号：103821 编号：XFI53
CAS号：18282-10-5 规格：直径:25-45nm
包装：1g 保质期：180天
保存条件：常温干燥密封避光保存
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产品名称
中文名称：氟掺杂二氧化锡纳米颗粒
英文名称：F-doped tin dioxide nanoparticles
产品概述
二氧化锡（SnO2）是一种宽禁带n型金属氧化物半导体材料。SnO2 晶体属于四方晶系正方形晶体，晶体呈双锥状、锥柱状，有时呈针状，为金红石结构，其晶格常数为 a=b=0.4738 nm，c=0.3187 nm。纯SnO2的理论密度为6.95 g/cm3，在常温下表现为绝缘状态，电阻率很高，电学、光学和气敏性能等难以满足使用要求。对二氧化锡进行掺杂后，其性质有显著变化，具有高导电率、高透射率以及较好的气敏特性等，因此掺杂 SnO2已广泛应用到气体传感器、催化、涂料、电极材料等诸多领域。 XFI53为氟掺杂二氧化锡（FTO），是一种重要的透明导电氧化物。
技术参数
直径：~25-45nm
氟含量：~2.5at%
比表：~20.57m2/g
产品特点
低电阻率：通过氟掺杂，二氧化锡的电阻率显著降低，提高了其导电性能。
化学稳定性：掺杂氟后二氧化锡的化学稳定性提高，能耐酸、碱和大气环境的侵蚀，也能耐受高温退火处理。
耐热性：相比其他透明导电材料，氟掺杂二氧化锡的耐热性更佳，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
紫外吸收能力强：氟掺杂二氧化锡对紫外光的吸收系数大，具有一定的紫外屏蔽能力。
应用
太阳能电池：FTO作为透明电极材料，广泛应用于染料敏化太阳能电池和钙钛矿太阳能电池中，提高了电池的光电转换效率。
显示器：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示器中，FTO作为透明导电层，用于实现像素的寻址和驱动。
气敏元件：FTO薄膜可以作为气敏元件的敏感层，用于检测空气中的有害气体或挥发性有机化合物（VOCs）。
建筑幕墙玻璃及透明视窗：FTO薄膜可以涂覆在建筑幕墙玻璃和透明视窗上，提供导电、防静电和防雾等功能。
其他应用：FTO还可以用于传感器、数字显示器、智能窗口涂料、催化剂支架等多种领域。
其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询
纳米SnO2的 4个应用，只有1%的人全知道！
纳米二氧化锡（SnO2）材料作为一种重要的本征半导体氧化物，具有优异的光学性能、电学性能和化学稳定性，在气敏传感器、储能材料、催化等领域具有重要应用前景。本期小丰整理了SnO2的4种应用，一起看下~
传感
SnO2和其他半导体材料相比，对于低浓度气体具有较高的灵敏度，将其用于气体传感器使用时，在一般检测范围内，SnO2气敏元件的电阻率变化较大，输出信号强，因此SnO2基材料在气体传感领域具有一定的应用，目前已经被广泛用于SO2、H2S、CO和胺等许多有毒气体的有效传感。
电极
SnO2具有较高的储锂容量，最先被用在锂离子电池。之后的研究发现SnO2基复合材料也可作为太阳能电池使用。研究人员通过制备SnO2纳米粒子、纳米晶体、纳米管、纳米板、纳米球、纳米线、量子点等构筑坚固的SnO2基负极，从而获得高库伦效率和高比容量的锂离子电池。最新的研究发现，黑色SnO2纳米材料作为锂电负极具有1340 mA h/g可逆容量，远优于SnO2的理论容量极限（783 mA h/g），为高性能锂电负极材料的实际应用提供了可能。
催化
SnO2的禁带宽度约为3.6eV，属于宽禁带N型半导体材料，同时具有丰富的表面晶格氧缺陷，极易被还原，这些特性使得SnO2 可被应用于光催化反应。另外，SnO2材料比表面积较大，具有优良的吸附性能，内外活性均较高，与污染物反应较快，因此常被用于污染物治疗、有机合成等领域。
电子传输
SnO2具有高透明性、超高电子迁移率（＞200cm2·v-1·s-1）是一种优良的电子传输层材料，被广泛应用于各种光电器件中。在有机发光二极管（QLED）的制备中，SnO2主要起到电子传输的作用，能够提高QLED的光电转化效率。此外，在钙钛矿太阳能电池中，SnO2极有可能取代现在常用的电子传输层TiO2，并且SnO2可在低温下加工，还具有合适的能带结构，有利于电子的高效提取和传输。
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